ITP OpenIR  > 理论物理所1978-2010年知识产出
Electron space charge effect on spin injection into semiconductors
Yu, Y; Li, JB; Chui, ST; Yu, Y , Chinese Acad Sci, Inst Theoret Phys, POB 2735, Beijing 100080, Peoples R China.
2003
发表期刊PHYSICAL REVIEW B
ISSN1098-0121
卷号67期号:19页码:-
摘要We consider spin polarized transport in a ferromagnet-insulator/semiconductor/insulator-ferromagnet junction. We find that the spin current is strongly dependent on the spin configurations, the doping, and space charge distribution in the semiconductor. When the ferromagnet-semiconductor interface resistance is comparable to the semiconductor resistance, the magnetoresistance ratio of this junction can be greatly enhanced under appropriate doping when the space charge effect in the nonequilibrium transport processes is taken into consideration.
部门归属Chinese Acad Sci, Inst Theoret Phys, Beijing 100080, Peoples R China; Univ Delaware, Bartol Res Inst, Newark, DE 19716 USA
关键词Tunnel-junctions Room-temperature Magnetoresistance Ferromagnet Transport Gaas
学科领域Physics
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收录类别SCI
WOS记录号WOS:000183380000007
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被引频次:1[WOS]   [WOS记录]     [WOS相关记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.itp.ac.cn/handle/311006/13295
专题理论物理所1978-2010年知识产出
通讯作者Yu, Y , Chinese Acad Sci, Inst Theoret Phys, POB 2735, Beijing 100080, Peoples R China.
推荐引用方式
GB/T 7714
Yu, Y,Li, JB,Chui, ST,et al. Electron space charge effect on spin injection into semiconductors[J]. PHYSICAL REVIEW B,2003,67(19):-.
APA Yu, Y,Li, JB,Chui, ST,&Yu, Y , Chinese Acad Sci, Inst Theoret Phys, POB 2735, Beijing 100080, Peoples R China..(2003).Electron space charge effect on spin injection into semiconductors.PHYSICAL REVIEW B,67(19),-.
MLA Yu, Y,et al."Electron space charge effect on spin injection into semiconductors".PHYSICAL REVIEW B 67.19(2003):-.
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