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卢仲毅; 闫循旺; 高淼; 向涛
插层三元铁硒超导体的电子结构和磁性质的理论研究
Source Publication物理
Keyword铁基超导体 反铁磁半金属 三元铁硒化合物 反铁磁半导体 电子结构计算
Abstract最近发现的插层三元铁硒超导体AyFexSe2(A=K,Rb,Cs和/或Tl)显示诸多新颖现象.为了澄清这些现象,作者分别计算了没有铁空位的基于完整四方FeSe层的AFe2Se2,含有四分之一铁空位的4×2或2×2超结构的AFe1.5Se2,以及含有五分之一铁空位的槡5×槡5超结构的A0.8Fe1.6Se2三种情况下的电子结构和相应的磁构型,发现AFe2Se2是双共线反铁磁的半金属,而AFe1.5Se2和A0.8Fe1.6Se2则是分别具有数十和数百毫电子伏特能隙的反铁磁半导体,并分别处于共线反铁磁长程序和区块化棋盘反铁磁长程序中.作者还分析和讨论了AyFexSe2的这些基本电子结构可能对超导性质的影响.
2011
Volume40Issue:08Pages:527-534
Indexed ByCSCD
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.itp.ac.cn/handle/311006/26487
CollectionCNKI期刊论文
Affiliation1.中国人民大学物理系
2.中国科学院理论物理研究所
3.中国科学院物理研究所
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GB/T 7714
卢仲毅,闫循旺,高淼,等. 插层三元铁硒超导体的电子结构和磁性质的理论研究[J]. 物理,2011,40(08):527-534.
APA 卢仲毅,闫循旺,高淼,&向涛.(2011).插层三元铁硒超导体的电子结构和磁性质的理论研究.物理,40(08),527-534.
MLA 卢仲毅,et al."插层三元铁硒超导体的电子结构和磁性质的理论研究".物理 40.08(2011):527-534.
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