插层三元铁硒超导体的电子结构和磁性质的理论研究

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	卢仲毅 ; 闫循旺 ; 高淼 ; 向涛
	插层三元铁硒超导体的电子结构和磁性质的理论研究
Source Publication	物理
Keyword	铁基超导体反铁磁半金属三元铁硒化合物反铁磁半导体电子结构计算
Abstract	最近发现的插层三元铁硒超导体AyFexSe2(A=K,Rb,Cs和/或Tl)显示诸多新颖现象.为了澄清这些现象,作者分别计算了没有铁空位的基于完整四方FeSe层的AFe2Se2,含有四分之一铁空位的4×2或2×2超结构的AFe1.5Se2,以及含有五分之一铁空位的槡5×槡5超结构的A0.8Fe1.6Se2三种情况下的电子结构和相应的磁构型,发现AFe2Se2是双共线反铁磁的半金属,而AFe1.5Se2和A0.8Fe1.6Se2则是分别具有数十和数百毫电子伏特能隙的反铁磁半导体,并分别处于共线反铁磁长程序和区块化棋盘反铁磁长程序中.作者还分析和讨论了AyFexSe2的这些基本电子结构可能对超导性质的影响.
	2011
Volume	40 Issue:08 Pages:527-534
Indexed By	CSCD
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Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.itp.ac.cn/handle/311006/26487
Collection	CNKI期刊论文
Affiliation	1.中国人民大学物理系 2.中国科学院理论物理研究所 3.中国科学院物理研究所
Recommended Citation GB/T 7714	卢仲毅,闫循旺,高淼,等. 插层三元铁硒超导体的电子结构和磁性质的理论研究[J]. 物理,2011,40(08):527-534.
APA	卢仲毅,闫循旺,高淼,&向涛.(2011).插层三元铁硒超导体的电子结构和磁性质的理论研究.物理,40(08),527-534.
MLA	卢仲毅,et al."插层三元铁硒超导体的电子结构和磁性质的理论研究".物理 40.08(2011):527-534.

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